
Производитель:
(ОАО «НИИ ТМ»
Контактное лицо: Павлов Георгий Яковлевич
Эл. адрес:
info@niitm.ru
Телефон: +7(495) 229-7501
URI сайта:
http://www.niitm.ru/technology/infliction/magnetron/details/v/model/magna_tm_5/
Назначение:
Осаждение диэлектрических слоёв (SiO
2, Si
3N
4) из газовой фазы с плазменной активацией в ВЧ разряде.
Технические характеристики и функциональные параметры:
- Индивидуальная обработка пластин (подложек) до Ø100 мм (100х100 мм).
- Реактор с источником ICP плазмы.
- Откачка реактора до предельного разряжения 1 10-4Па;
- Поддержание стабильности ВЧ разряда в диапазоне рабочих давлений 0,5-5 Па;
- Изменение ВЧ смещения на ВЧ электроде - подложкодержателе в диапазоне от 0 до 1000 В;
- Регулирование и автоматическое поддержание уровня ВЧ мощности в диапазоне 30-200 Вт.
- Нагрев подложкодержателя до 400°С.
- Автоматизированное управление от персонального компьютера.
- Мощность потребления не более 3 кВт.
- Площадь, занимаемая одной установкой ~1,5 м2.