МВУ ТМ Изофаз CVDICP

Производитель: (ОАО «НИИ ТМ»
Контактное лицо: Павлов Георгий Яковлевич
Эл. адрес: info@niitm.ru
Телефон: +7(495) 229-7501
URI сайта: http://www.niitm.ru/technology/infliction/magnetron/details/v/model/magna_tm_5/

Назначение:

Осаждение диэлектрических слоёв (SiO₂, Si₃N₄) из газовой фазы с плазменной активацией в ВЧ разряде.

Индивидуальная обработка пластин (подложек) до Ø100 мм (100х100 мм).
Реактор с источником ICP плазмы.
Откачка реактора до предельного разряжения 1 10^-4Па;
Поддержание стабильности ВЧ разряда в диапазоне рабочих давлений 0,5-5 Па;
Изменение ВЧ смещения на ВЧ электроде - подложкодержателе в диапазоне от 0 до 1000 В;
Регулирование и автоматическое поддержание уровня ВЧ мощности в диапазоне 30-200 Вт.
Нагрев подложкодержателя до 400°С.
Автоматизированное управление от персонального компьютера.
Мощность потребления не более 3 кВт.
Площадь, занимаемая одной установкой ~1,5 м².