Главная/Участники/Продукция участников/Микросхема интегральная бескорпусная 1825ВК1Н2АМ на основе КМОП КНС структур n-канальной проводимости с гетероэпитаксиальным слоем 0,6 мкм

Микросхема интегральная бескорпусная 1825ВК1Н2АМ на основе КМОП КНС структур n-канальной проводимости с гетероэпитаксиальным слоем 0,6 мкм

Микросхема интегральная бескорпусная 1825ВК1Н2АМ на основе КМОП КНС структур n-канальной проводимости с гетероэпитаксиальным слоем 0,6 мкм Производитель: ОАО «Ангстрем»
Контактное лицо: Антропов Алексей Валерьевич
Эл. адрес: market@angstrem.ru
Телефон: +7 (499) 731 49 06
URI сайта: www.angstrem.ru

Назначение:

Четыре логических мажоритарных элемента на три входа каждый

Технические характеристики и функциональные параметры:

  • Диапазон напряжения питания микросхемы: 4,5 – 7,5 В;
  • Статический ток потребления: менее 1,5 мА;
  • Динамический ток потребления: менее 30 мА;
  • Рассеиваемая мощность на одном выходе (общая мощность рассеиваемая микросхемой): менее 30(400) мВТ;
  • Выходной ток низкого и высокого уровня на выходах DOM1, DOM2, DOM3, DOM4, (EQ) мА: не менее 18 мА;
  • Диапазон рабочих температур: от -60°С до +85°С;
  • ESD защита: ≥ 2000 В.

Конкурентные преимущества:

  • Бренд Ангстрема гарантирует качество и надежность выпускаемой продукции

  • Сроки исполнения

  • Конкурентоспособная цена, обеспеченная собственными разработками  

  • Стойкость к воздействию специальных факторов.


Возврат к списку

X