Главная/Участники/Продукция участников/Автоматизированная шлюзовая установка плазмостимулированного осаждения слоёв из газовой фазы Caroline PECVD15

Автоматизированная шлюзовая установка плазмостимулированного осаждения слоёв из газовой фазы Caroline PECVD15

Автоматизированная шлюзовая установка плазмостимулированного осаждения слоёв из газовой фазы Caroline PECVD15 Производитель: РУ-ВЭМ
Контактное лицо: Суворов Михаил Викторович
Эл. адрес: info@ru-vem.ru
Телефон: (499) 710-60-00, (499) 710-60-11
URI сайта: www.ru-vem.ru

Назначение:

Установка поштучной обработки пластин диаметром до 200 мм. снабжена генератором плазмы высокой плотности (патент РФ № 2 171 555) со своим ВЧ-генератором возбуждения плазмы (частотой 13,56 МГц) и специальным столом с подачей от независимого генератора ВЧ-смещения для вытягивания и ускорения ионов из плазмы. В зависимости от задач Заказчика установка может быть укомплектована подогреваемым или охлаждаемым столом.

Технические характеристики и функциональные параметры:

Количество и размер подложек обрабатываемых за 1 цикл,

1шт. до Ø 200

6шт. 60х48

Предельное остаточное давление в рабочей камере, Па

8х10-4

Время полного обезгаживания, мин.

200

Давление в шлюзе загрузки-выгрузки, Па

2

Время перезагрузки пластин из шлюза в рабочую камеру, мин.

2

Количество каналов рабочих газов, шт.

4

Количество каналов для работы с агрессивными газами (Cl2 SiCl4 и т.д.), шт.

до 4

Расход подаваемых в камеру рабочих газов по каждому каналу, л/час

0÷18

ВЧ мощность, подаваемая на антенну генератора плазмы

100:900 Вт,

13,56 МГц

Частота напряжения смещения

13,56 МГц

Мощность смещения, подаваемая на столик, Вт

до 900

Равномерность на Ø 150 мм. при травлении SiO2 , %

±3

Диапазон рабочих давлений, Па

9·10-2..9·100

Габаритные размеры агрегата технологического (ширина × глубина × высота) с открытой крышкой, мм.

1450х1385х1830

Масса со стойкой питания и управления, кг.

до 1600 кг.

Конкурентные преимущества:

Установка обеспечивает:

  • стабилизацию заданного расхода технологических газов по четырём каналам и контроль расхода газа по каждому каналу;
  • автоматическое выполнение программ «от загрузки до разгрузки»;
  • перемещения подложек из шлюза на позицию осаждения и обратно при помощи автоматического манипулятора.

Установки этого типа комплектуются:

  • автоматическим согласующим устройством;
  • современным многоканальным газонапуском;
  • импортным химстойким турбомолекулярным насосом;
  • баротроном для контроля вакуума в рабочей точке;
  • установки имеют возможность комплектации лазерным контролем толщины осаждаемого слоя (опция);
  • при необходимости прогрев стола до 300ºС.

Установка предназначена для производства во всех областях микроэлектроники, микромеханики, оптической промышленности и т.д.

На установке реализованы следующие технологии:

  • осаждение тонких плёнок на диэлектрик с ионным ассистированием;
  • осаждение диэлектриков (нитрида и оксида кремния) с хорошим качеством и равномерностью, из моносилана с кислородом и азотом при «комнатных» температурах подложки;
  • осаждение разных типов плёнок (чередующихся слоёв) в одном вакуумном цикле;
  • осаждение металлических плёнок (золота, меди и др. не образующих летучих соединений) путём катодного распыления в плазме инертных газов.



Возврат к списку

X