Главная/База НИОКР/Разработка СВЧ транзистора с шириной затвора не менее 2 мм на основе наногетероструктур AlN/GaN на подложках кремния и карбида кремния

Разработка СВЧ транзистора с шириной затвора не менее 2 мм на основе наногетероструктур AlN/GaN на подложках кремния и карбида кремния

X