АО «Эпиэл» является ведущим предприятием в России, специализирующимся на производстве эпитаксиальных структур на основе кремния и сапфира для широкого спектра полупроводниковых приборов, среди которых интегральные схемы, дискретные силовые приборы и многие другие электронные компоненты. Кремниевые эпитаксиальные структуры находятся в основании пирамиды, на которой строится современная радиоэлектроника, поскольку они являются базовым материалом для производства широкого спектра электронных компонентов, применяемых в электронной технике гражданского, военного и космического назначения. На протяжении уже более 15 лет АО «Эпиэл» успешно обеспечивает потребности отечественной электронной промышленности в эпитаксиальных структурах. Более 50 предприятий радиоэлектроники по всей России являются потребителями продукции АО «Эпиэл». Предприятие также осуществляет поставки продукции заказчикам в Европе, США, Канаде и Юго-Восточной Азии.
Мы концентрируем свои усилия на создании сбалансированных продуктов и решений, способных обеспечить нашим заказчикам высокие показатели эффективности производства и выхода годной продукции. Во многом это достигается за счет тесного взаимодействия с заказчиками и умелого применения нашего научного потенциала и производственных возможностей.
Имея более 30 лет опыта в сфере кремниевой эпитаксии, наши специалисты разработали целый ряд технологических процессов, которые позволяют производить как типовые, так и нестандартные эпитаксиальные структуры в широком диапазоне параметров.
Помимо производственных задач АО «Эпиэл» также проводит исследования и выполняет опытно-конструкторские работы в области эпитаксиальной технологии. Наша инженерная команда имеет богатый опыт реализации НИОКР, которые выполняются как в целях технологического развития предприятия, так и по внешним заказам, в том числе в рамках государственных контрактов. Комбинация высокого научного потенциала и широких производственных возможностей делает АО «Эпиэл» уникальным предприятием в своей сфере не только в России, но и в мире.
|
Кремниевые эпитаксиальные структуры |
Структуры Кремний на сапфире |
Диаметр |
76, 100, 150, 200 мм |
76, 100, 150 мм |
Толщина эпитаксиального слоя |
3,0 – 300 мкм |
0,3 – 2,0 мкм |
Удельное сопротивление эпитаксиального слоя |
0,05 – 1500 Ом.см n-тип 0,05 – 1000 Ом.см p-тип |
2,5–10; 5–30; >30 Ом.см n-тип 0,01 – 1,0 Ом.см p-тип |
Применения |
Интегральные схемы, Силовая электроника, IGBT, DMOS, прочие |
Интегральные схемы спецназначения, Датчики |