Главная/Новости/мероприятия/Новости/2-й международный форум "Техноюнити-ЭЛТМ"

2-й международный форум "Техноюнити-ЭЛТМ"

RSS поток
13.10.2017

Всю неделю в здании Корпорации развития Зеленограда проходил 2-й международный форум "Техноюнити - Электронно-лучевые технологии для микроэлектроники" (Техноюнити-ЭЛТМ). Международный форум проходит во второй раз в Корпорации "Зеленоград", напомним, что 1-й форум проходил с 30 мая по 3 июня. Данный форум был разделён на два этапа: 1-й этап - научно-техническая конференция, которая проходит на этой неделе и 2-й этап - бизнес форум, даты уточняются.
Организаторами форума являются: КП "КРЗ", ИПТМ РАН и АО "НИИМЭ". В этом году научно-техническая часть международного форума собрала более 200 участников, интересующихся актуальными вопросами электронно-лучевыми технологиями для микроэлектроники, тонкопленочной метализацией интегральных схем, диагностикой полупроводниковых структур, и новой элементной базы микро- и наноэлектроники.
Мероприятие посетили разработчики, эксперты своей области, аспиранты, студенты, а также представители организаций, заинтересованные в Hi-tech разработках и способствующие развитию микроэлектроники и информационных технологий в России. Форум объединил в одном пространстве большую конференц-зону, лекционные залы и зону для мастер классов. С приветственным словом к участникам конференции обратились: Зайцев Владимир Владимирович, генеральный директор КП "КРЗ", сопредседатель оргкомитета. Владимир Владимирович поприветствовал всех участников и  объявил об официальном открытии научно-технической части 2-го международного форума "Техноюнити-ЭЛТМ". Подробно рассказал о планах проведения форума, привел статистические данные о конференции со сравнительным анализом текущей и предыдущих конференций. Им отмечено, что популярность мероприятия постоянно растет: увеличивается число поданных и принятых докладов, повышается их научный уровень, чему способствует жесткая система рецензирования. В 2017 году для участия в конференции было подано более 300 докладов, из которых в программу конференции было включено 147. Также, выступили и поприветствовали всех участников Красников Г.Я., академик РАН, генеральный директор АО "НИИМЭ", сопредседатель правления и Рощупкин Д.В., д.ф.-м.н., директор ИПТМ РАН, сопредседатель правления.

Работа конференции организована в рамках 6 параллельно-последовательно работающих научных направлений (секций): «Характеризация полупроводниковых материалов», «Электронная и ионная литография», «Характеризация материалов методами ПЭМ», «Характеризация материалов методами РЭМ», «Сканирующая зондовая микроскопия, зондовая нанолитография и спектроскопия», «Новые материалы». Кроме того, каждый день проводился мастер-класс по оптической 3D-микроскопии на примере микроскопа VHX-5000 Keyence, мастер-класс проводили представители ООО "Серния Инжиниринг". С самого первого дня участники окунулись в концентрацию возможностей и научно-технических достижений в области микроэлектроники. В частности, были продемонстрированы презентации научно-технических достижений российских и зарубежных компаний, а также организаций, способствующих развитию микроэлектроники и информационных технологий в России. 

В конференции приняли участие организации из России, Белоруссии, Армении, Германии, Украины, Великобритании, Азербайджана, США, Таджикистана, Индии.

Все публикации

X